Компания Samsung объявила о начале производства высокопроизводительных карт microSD с более высокой скоростью передачи данных, что позволяет им удовлетворять требования к производительности смартфонов 4-го поколения (4G). Новые карты microSD класса 20 нм имеют класс 10, что позволяет быстро сохранять данные и передавать видео в формате Full HD (данная функция становится все более популярной среди пользователей смартфонов 4G).
Новые карты microSD 32 ГБ поддерживают скорость записи 12 МБ/с и скорость чтения 24 МБ/с, что более чем в два раза превышает показатели скорости записи для карт microSD 32 ГБ класса 4. Новая карта памяти 32 ГБ включает чипы 3-разрядной флэш-памяти NAND 32 Gb, а также уникальный 3-разрядный контроллер NAND, который обеспечивает высокую производительность.
Новая карта была разработана после выпуска в феврале 2010 года карт microSD 32 ГБ, построенных на базе 3-разрядной памяти NAND 32Gb класса 30 нм*. Благодаря более продвинутому технологическому процессу класса 20 нм, производительность чипов выросла более чем на 30%.
Будучи первопроходцем, компания Samsung планирует активно выводить на рынок новые решения мобильной памяти NAND. Ожидается, что серийное производство карт памяти на базе 3-разрядной памяти NAND 64Gb класса 20 нм с использованием современной архитектуры Toggle NAND начнется в начале следующего года.
Также на эту тему:
Микро-«андроид»Samsung Galaxy Beam. Проекция «Галактики»
Редактор 
Loading ...
